RTX50系顯卡曝致命缺陷：關(guān)鍵區(qū)域過熱危及使用壽命

播報04月28每日電訊 知名硬件分析師 Igor Wallossek 旗下的 Igor's Lab 近日發(fā)布報告，揭示了英偉達(dá)RTX 50 系列顯卡可能存在一個潛在的硬件缺陷：關(guān)鍵供電區(qū)域的溫度過高問題。如果問題得不到解決，這可能威脅到這些新一代顯卡的穩(wěn)定性和長期使用壽命。

Igor's Lab 的團(tuán)隊通過熱成像和細(xì)致測試，在顯卡 PCB 上，特別是在電壓調(diào)節(jié)模塊（VRMs）附近，發(fā)現(xiàn)了局部的高溫?zé)狳c(diǎn)。分析認(rèn)為，供電子系統(tǒng)中的電子元件（如 FETs、電感線圈等）為了追求緊湊的 PCB 設(shè)計，被放置得過于靠近，犧牲了散熱空間，加劇了熱密度。

測試數(shù)據(jù)顯示令人擔(dān)憂。在一項對比測試中，PNY RTX 5070 和 Palit RTX 5080 Gaming Pro OC 顯卡的 VRM 區(qū)域溫度表現(xiàn)不一。RTX 5080 的 VRM 區(qū)域測得溫度為 80.5°C，而 RTX 5070 在同一區(qū)域的溫度飆升至驚人的 107.3°C，遠(yuǎn)超長期安全運(yùn)行的范圍。這可能與 RTX 5070 相對較短的 PCB 設(shè)計導(dǎo)致供電元件更集中有關(guān)。

報告指出，這并非個例，該缺陷似乎影響了基于當(dāng)前設(shè)計的所有 RTX 50 系列 GPU。Igor's Lab 推測，問題根源可能在于英偉達(dá)提供給其合作廠商（AIB）的散熱設(shè)計指導(dǎo)存在疏漏，未能充分考慮理想散熱條件之外的情況、PCB 功率損耗及元件在高溫下的異常行為。

如果這些問題未能解決，顯卡的供電元件（如電容、MOSFETs）在持續(xù)高溫下會加速老化，可能導(dǎo)致電壓不穩(wěn)定、崩潰、焊點(diǎn)劣化，甚至縮短顯卡壽命，提前發(fā)生故障。這令人聯(lián)想到 RTX 4090 電源接口熔毀事件，但這次的問題可能根植于 PCB 設(shè)計本身。